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场效应管(MOSFET)的命名方法

分类:MOSFET技术百科   发布时间:2015-06-11 03:06:33   阅读:2948   信息来源:1mos.com
日本命名法

日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:


第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。


第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。


第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管(MOSFET)、K-N沟道场效应管(MOSFET)、M-双向可控硅。


第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是近期产品。


第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

如2SK134为N沟道MOSFET,2SJ49为P沟道MOSFET。


中国命名法

中国命名场效应管(MOSFET)通常有下列两种命名方法。

第一种命名方法是使用“中国半导体器件型号命名法”的第3、第4和第5部分来命名,其中的第3部分用字母CS表示场效应管(MOSFET),第4部分用阿拉伯数字表示器件序号,第5部分用汉语拼音字母表示规格号。例如CS2B、CS14A、CS45G等。

第二种命名方法与双极型三极管相同,第一位用数字代表电极数;第二位用字母代表极性(其中D是N沟道,C是P沟道);第三位用字母代表类型(其中J代表结型场效应管(MOSFET),O代表绝缘栅场效应管(MOSFET))。例如,3DJ6D是N沟道结型场效应三极管,3D06C是N沟道绝缘栅型场效应三极管。

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