1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管（MOSFET）中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管（MOSFET）中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管（MOSFET）正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管（MOSFET）上的工作电压必须小于BUDS。
4、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管（MOSFET）性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管（MOSFET）实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
5、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管（MOSFET）正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管（MOSFET）的工作电流不应超过IDSM 。
6、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
7、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管（MOSFET）放大能力的重要参数。