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场效应管(MOSFET)的主要参数

分类:MOSFET技术百科   发布时间:2015-06-11 03:06:06   阅读:3081   信息来源:1mos.com
场效应管(MOSFET)的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但是一般使用时关注以下主要参数:


1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管(MOSFET)中,栅极电压UGS=0时的漏源电流。


2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管(MOSFET)中,使漏源间刚截止时的栅极电压。


3、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管(MOSFET)正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管(MOSFET)上的工作电压必须小于BUDS。


4、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管(MOSFET)性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管(MOSFET)实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。


5、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管(MOSFET)正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管(MOSFET)的工作电流不应超过IDSM 。


6、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。


7、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管(MOSFET)放大能力的重要参数。

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